International Rectifier
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 32A (Ta), 160A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.1V @ 100µA |
| 供应商设备封装 | DIRECTFET™ MX |
| 其他名称 | IRF6894MTR1PBFTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.3 mOhm @ 33A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Schottky, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.1W |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 25V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4160pF @ 13V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 39nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | DirectFET™ Isometric MX |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 16 V |
| 连续漏极电流 | 170 A |
| RDS（ON） | 1.7 mOhms |
| 功率耗散 | 54 W |
| 封装/外壳 | DirectFET Isometric |
| 配置 | Single Dual Drain Dual Source |
| 漏源击穿电压 | 25 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 29 nC |
| 栅源电压（最大值） | �16 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -40C to 150C |
| 包装类型 | Direct-FET MX |
| 引脚数 | 7 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Automotive |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 25 V |
| 弧度硬化 | No |
| 案例 | DirectFET |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 54W |
| Drain-source voltage | 25V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 170A |
| Multiplicity | 1000 |
| Gross weight | 0.43 g |
| Package type | roll |
| Collective package [pcs] | 1000 |
| spg | 1000 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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