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#1 |
数量:1036 |
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| 规格书 |
 IRF5804PbF |
| 文档 |
Gen 8 Rev2 08/Jul/2011 |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 2.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 198 mOhm @ 2.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 8.5nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 680pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-TSOP (0.059", 1.50mm 宽度 ) |
| 供应商器件封装 | Micro6™(TSOP-6) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称； |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | P |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 198@10V |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | Micro |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 最大连续漏极电流 | 2.5 |
| 引脚数 | 6 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.5A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | Micro6™(TSOP-6) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 198 mOhm @ 2.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 封装/外壳 | 6-TSOP (0.059", 1.50mm Width) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 680pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 8.5nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | IRF5804TRPBFCT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | - 2.5 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 334 mOhms |
| 功率耗散 | 2 W |
| 漏源击穿电压 | - 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 5.7 nC |
| Continuous Drain Current Id | :2.5A |
| Drain Source Voltage Vds | :40V |
| On Resistance Rds(on) | :198mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :-3V |
| 功耗 | :2W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TSOP |
| No. of Pins | :6 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Application Code | :LowR |
| Cont Current Id @ 25°C | :2.5A |
| Cont Current Id @ 70°C | :2 |
| Current Id Max | :-2.5A |
| Junction to Case Thermal Resistance A | :62.5°C/W |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Pulse Current Idm | :10A |
| 端接类型 | :SMD |
| Voltage Vds | :40V |
| Voltage Vds Typ | :-40V |
| Voltage Vgs Max | :-20V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :-10V |
| Weight (kg) | 0.0005 |
| Tariff No. | 85412900 |
| 案例 | TSOP6 |
| Transistor type | P-MOSFET |
| 功率 | 2W |
| Drain-source voltage | -40V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | -2.5A |
| Multiplicity | 3000 |
| Gross weight | 0.43 g |
| Package type | roll |
| Collective package [pcs] | 3000 |
| spg | 3000 |
| associated | EYGA121807A EYGA091203SM |
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