所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 工厂包装数量 | 80 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.5 V |
| 栅极 - 射极漏泄电流 | 10 uA |
| 连续集电极电流在25 C | 15 A |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 62 W |
| 封装 | Tray |
| 最低工作温度 | - 20 C |
| 封装/外壳 | SIP-2 |
| 配置 | 3-Phase Inverter |
| 最高工作温度 | + 100 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 类型 | IGBT |
| 电流 | 20A |
| 电压 | 600V |
| 标准包装 | 80 |
| 电压 - 隔离 | 2000Vrms |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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