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厂商型号

AUIRGR4045DTRR 

产品描述

IGBT Transistors 600V LO VCEON IGBT HALF BRIDGE 2 CH

内部编号

176-AUIRGR4045DTRR

#1

数量:0
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美国加州
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AUIRGR4045DTRR产品详细规格

规格书 AUIRGR4045DTRR datasheet 规格书
AUIRGR4045DTRR datasheet 规格书
工厂包装数量 3000
集电极 - 发射极饱和电压 2 V
栅极 - 射极漏泄电流 +/- 100 nA
连续集电极电流Ic最大 12 A
连续集电极电流在25 C 12 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 77 W
封装 Reel
最大栅极发射极电压 +/- 20 V
最低工作温度 - 40 C
封装/外壳 DPAK
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant

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