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厂商型号

AUIRGP50B60PD1E 

产品描述

IGBT Transistors 600V AUTO WARP2 150KHZ COPACK IGBT

内部编号

176-AUIRGP50B60PD1E

订购说明

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AUIRGP50B60PD1E产品详细规格

规格书 AUIRGP50B60PD1E datasheet 规格书
AUIRGP50B60PD1(E)
文档 AUIRGP50B60PD1E Saber Model
AUIRGP50B60PD1E Spice Model
设计资源 AUIRGP50B60PD1E Saber 模式 l
标准包装 25
IGBT 型 NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
蒸气云爆炸(上)(最大值)”的发展,集成电路 2.85V @ 15V, 50A
集电极电流(Ic)(最大) 75A
当前 - Collector Pulsed (Icm) 150A
功率 - 最大 390W
Switching 能源 630µJ
输入 型 Standard
栅极电荷 205nC
Td(开/关)@ 25°C 30ns/130ns
测试条件 390V, 33A, 3.3 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr) 42ns
包装材料 Tube
包/盒 TO-247-3 (TO-247AD)
安装类型 Through Hole
供应商器件封装 TO-247AD
栅极电荷 205nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 75A
安装类型 Through Hole
标准包装 25
开关能量 630µJ
时间Td(开/关) @ 25°C 30ns/130ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.85V @ 15V, 50A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-247AD
反向恢复时间(trr ) 42ns
封装 Tube
功率 - 最大 390W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-247-3
IGBT类型 NPT
测试条件 390V, 33A, 3.3 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 150A
渠道类型 N
配置 Single
外形尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm
身高 20.7mm
长度 15.87mm
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 75 A
最大栅极发射极电压 ±20V
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 390 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TO-247AD
引脚数 3
Switching Speed 150kHz
宽度 5.31mm
RoHS指令 Compliant
工厂包装数量 25
集电极 - 发射极饱和电压 2.35 V
连续集电极电流在25 C 75 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
安装风格 Through Hole
功率耗散 390 W
RoHS RoHS Compliant
集电极电流(DC ) 75 A
集电极 - 发射极电压 600 V
安装 Through Hole
工作温度(最大) 150C
工作温度(最小值) -55C
工作温度分类 Military
Gate to Emitter Voltage (Max) �20 V
弧度硬化 No
DC Collector Current :75A
Collector Emitter Voltage Vces :600V
功耗 :390W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :600V
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-247AD
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
工作温度范围 :-55°C to +150°C
晶体管类型 :IGBT
Weight (kg) 0.005
Tariff No. 85412900
associated 4597
FK 243 MI 247 V
1399075-M

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