infineon technologies
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| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220AB |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 最大连续漏极电流 | 20.7 A |
| RDS -于 | 190@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型上升时间 | 5 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 67 ns |
| 典型下降时间 | 4.5 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| P（ TOT ） | 208W |
| 匹配代码 | SPP20N65C3 |
| R（ THJC ） | 0.6K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 50 |
| 标准的提前期 | 14 weeks |
| 最小起订量 | 500 |
| Q（克） | 114nC |
| LLRDS （上） | 0.16Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | 10V |
| 我（D ） | 20.7A |
| V（ DS ） | 650V |
| 技术 | CoolMOS C3 |
| 的RDS（on ） at10V | 0.19Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 20.7A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.9V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 650V |
| 供应商设备封装 | PG-TO220-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 208W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2400pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 114nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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