Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8.8A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 标准包装 | 500 |
| 供应商设备封装 | PG-TO220-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 300 mOhm @ 6.2A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 42W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 420pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 15nC @ 10V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | - 3 V |
| 连续漏极电流 | - 8.8 A |
| 系列 | SPP08P06 |
| RDS（ON） | 300 mOhms |
| 功率耗散 | 42 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 零件号别名 | SP000446908 SPP08P06PHXKSA1 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | - 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 高度 | 15.95mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 10.36mm |
| 典型输入电容值@Vds | 335 pF @ -25 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 300 mΩ |
| 通道类型 | P |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 42 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 4.57mm |
| 尺寸 | 10.36 x 4.57 x 15.95mm |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns |
| 典型关断延迟时间 | 48 ns |
| 封装类型 | TO-220 |
| 最大连续漏极电流 | 8.8 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ -10 V |
| 工厂包装数量 | 500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 4 V |
| 宽度 | 4.4 mm |
| Qg - Gate Charge | 15 nC |
| 下降时间 | 14 ns |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | SIPMOS |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 1.5 S |
| Id - Continuous Drain Current | - 8.8 A |
| 长度 | 10 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 230 mOhms |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 15.65 mm |
| 典型导通延迟时间 | 16 ns |
| Pd - Power Dissipation | 42 W |
| 上升时间 | 46 ns |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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