Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| P（ TOT ） | 80W |
| 匹配代码 | SPD18P06P G |
| 安装 | SMD |
| R（ THJC ） | 1.85K/W |
| LogicLevel | NO |
| 包装 | TO252-3 |
| 单位包 | 2500 |
| 标准的提前期 | 14 weeks |
| 最小起订量 | 2500 |
| Q（克） | 33nC |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | NO |
| 我（D ） | -18,6A |
| V（ DS ） | -60V |
| 技术 | SIPMOS |
| 的RDS（on ） at10V | 0.13Ohm |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 18.6A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 130 mOhm @ 13.2A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 80W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 860pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 33nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SPD18P06P GCT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | P |
| 外形尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.41mm |
| 身高 | 2.41mm |
| 长度 | 6.73mm |
| 最大连续漏极电流 | -18.6 A |
| 最大漏源电阻 | 0.13 Ω |
| 最大漏源电压 | -60 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 80 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | PG-TO-252-3 |
| 引脚数 | 3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 22 nC V @ -10 |
| 典型输入电容@ VDS | 690 pF V @ -25 |
| 典型关闭延迟时间 | 24.5 ns |
| 典型导通延迟时间 | 12 ns |
| 宽度 | 6.22mm |
| 晶体管极性 | :P Channel |
| Continuous Drain Current Id | :-18.6A |
| Drain Source Voltage Vds | :-60V |
| On Resistance Rds(on) | :0.1ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-10V |
| Threshold Voltage Vgs | :-3V |
| 功耗 | :80W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :TO-252 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| 工作温度范围 | :-55°C to +175°C |
| Weight (kg) | 0.0003 |
| Tariff No. | 85044090 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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