Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4.2A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 380µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 标准包装 | 2,500 |
| 供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 850 mOhm @ 3A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 38W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 372pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 16nC @ 10V |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 4.2 A |
| 系列 | SPD04P10 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 850 mOhms |
| 功率耗散 | 38 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 零件号别名 | SP000212231 SPD04P10PLGBTMA1 |
| 上升时间 | 5.7 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | - 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 5 ns |
| Continuous Drain Current Id | :-4.2A |
| Drain Source Voltage Vds | :-100V |
| On Resistance Rds(on) | :0.55ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-10V |
| Threshold Voltage Vgs | :-1.5V |
| 功耗 | :38W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :TO-252 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| 工作温度范围 | :-55°C to +175°C |
| Weight (kg) | 0.0003 |
| Tariff No. | 85044090 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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