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Thumbnail SKW25N120 Thumbnail SKW25N120 Thumbnail SKW25N120
厂商型号:

SKW25N120

芯天下内部编号:
173-SKW25N120
生产厂商:

infineon technologies

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-247
配置 Single
最大集电极发射极电压 1200 V
最大连续集电极电流 46 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
P( TOT ) 313W
匹配代码 SKW25N120
I(C ) 46A
TD (上) 60nS
单位包 30
标准的提前期 22 weeks
最小起订量 240
T( R) 52nS
无铅Defin RoHS-conform
TD (关闭) 950nS
技术 Fast
汽车 NO
V( CE ) 1200V
V( CESAT ) 3.6V
Bodydiode YES
栅极电荷 225nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 46A
安装类型 Through Hole
开关能量 3.7mJ
时间Td(开/关) @ 25°C 45ns/730ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 3.6V @ 15V, 25A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
供应商设备封装 PG-TO247-3
反向恢复时间(trr ) 90ns
封装 Tube
功率 - 最大 313W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-247-3
IGBT类型 NPT
测试条件 800V, 25A, 22 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 84A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
产品种类 IGBT Transistors
连续集电极电流Ic最大 46 A
系列 SKW25N120
集电极 - 发射极最大电压VCEO 1200 V
安装风格 Through Hole
最低工作温度 - 55 C
零件号别名 SKW25N120FKSA1 SP000012571
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
晶体管类型 :IGBT
DC Collector Current :46A
Collector Emitter Voltage Vces :3.6V
功耗 :313W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :1.2kV
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-247AC
No. of Pins :3
MSL :-
Current Ic @ Vce Sat :25A
Current Ic Continuous a Max :46A
Current Temperature :25°C
Device Marking :K25N120
Fall Time tf :39ns
Full Power Rating Temperature :25°C
Junction Temperature Tj Max :150°C
Junction Temperature Tj Min :-55°C
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Power Dissipation Max :313W
Power Dissipation Ptot Max :313W
Pulsed Current Icm :84A
上升时间 :40ns
端接类型 :Through Hole
晶体管极性 :N Channel
Voltage Vces :1.2kV
Weight (kg) 0.006
Tariff No. 85412900

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