Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 栅极电荷 | 70nC |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 16.5A |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 标准包装 | 1,000 |
| 开关能量 | 1mJ |
| 时间Td（开/关） @ 25°C | 27ns/440ns |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 3.6V @ 15V, 8A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 1200V |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-3-2 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 125W |
| 输入类型 | Standard |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| IGBT类型 | NPT |
| 测试条件 | 800V, 8A, 47 Ohm, 15V |
| 电流 - 集电极脉冲（ ICM ） | 27A |
| 产品种类 | IGBT Transistors |
| 连续集电极电流Ic最大 | 16.5 A |
| 系列 | SGB07N120 |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最大栅极发射极电压 | +/- 20 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 零件号别名 | SGB07N120ATMA1 SP000012559 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 身高 | 4.4 mm |
| 宽度 | 9.9 mm |
| 长度 | 10.25 mm |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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