Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET Power |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 频率 | 920 MHz to 960 MHz |
| 增益 | 18.5 dB |
| 输出功率 | 120 W |
| 漏源击穿电压 | 65 V |
| 连续漏极电流 | 750 mA |
| 源极击穿电压 | 12 V |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 封装/外壳 | PG-63248-2 |
| 封装 | Tray |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 625 W |
| 寿命 | Obsolete |
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