infineon technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-247 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 700 V |
| 最大连续漏极电流 | 20.2 A |
| RDS -于 | 190@10V mOhm |
| 最大门源电压 | 20 V |
| 典型导通延迟时间 | 13 ns |
| 典型上升时间 | 12 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 133 ns |
| 典型下降时间 | 10 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 20.2A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.5V @ 730µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 650V |
| 供应商设备封装 | PG-TO247-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 151W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1620pF @ 100V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 73nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 20.2 A |
| 系列 | IPW65R190 |
| RDS（ON） | 190 mOhms |
| 功率耗散 | 151 W |
| 商品名 | CoolMOS |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 栅极电荷Qg | 73 nC |
| 零件号别名 | IPW65R190C6FKSA1 SP000863902 |
| 上升时间 | 12 nS |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 700 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 10 nS |
| 工厂包装数量 | 240 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| 宽度 | 5.21 mm |
| Qg - Gate Charge | 73 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 20.2 A |
| 长度 | 16.13 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 190 mOhms |
| 身高 | 21.1 mm |
| Pd - Power Dissipation | 151 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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