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厂商型号:

IPW60R250CP

芯天下内部编号:
173-IPW60R250CP
生产厂商:

Infineon Technologies

microsemi
描述:
M
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
P( TOT ) 104W
匹配代码 IPW60R250CP
安装 THT
R( THJC ) 0.4K/W
LogicLevel NO
包装 TO247-3
单位包 30
标准的提前期 9 weeks
最小起订量 240
Q(克) 87nC
LLRDS (上) n.s.Ohm
汽车 NO
LLRDS (上)在 n.s.V
我(D ) 12A
V( DS ) 600V
技术 CoolMOS CP
的RDS(on ) at10V 0.25Ohm
无铅Defin RoHS-conform
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 12A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3.5V @ 440µA
漏极至源极电压(Vdss) 650V
供应商设备封装 PG-TO247-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 250 mOhm @ 7.8A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 104W
标准包装 240
输入电容(Ciss ) @ VDS 1200pF @ 100V
闸电荷(Qg ) @ VGS 35nC @ 10V
封装/外壳 TO-247-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 240
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
最低工作温度 - 55 C
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 12 A
系列 IPW60R250
安装风格 Through Hole
RDS(ON) 250 mOhms
功率耗散 104 W
商品名 CoolMOS
封装/外壳 TO-247
零件号别名 IPW60R250CPFKSA1 SP000310511
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 600 V
RoHS RoHS Compliant

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