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Thumbnail IPP60R600E6 Thumbnail IPP60R600E6
厂商型号:

IPP60R600E6

芯天下内部编号:
173-IPP60R600E6
生产厂商:

Infineon Technologies

microsemi
描述:
M
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
P( TOT ) 63W
匹配代码 IPP60R600E6
安装 THT
R( THJC ) 2.0K/W
LogicLevel NO
包装 TO220-3
单位包 50
标准的提前期 14 weeks
最小起订量 500
Q(克) 20.5nC
LLRDS (上) n.s.Ohm
汽车 NO
LLRDS (上)在 n.s.V
我(D ) 7.3A
V( DS ) 650V
技术 CoolMOS E6
的RDS(on ) at10V 0.60Ohm
无铅Defin RoHS-conform
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 7.3A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3.5V @ 200µA
漏极至源极电压(Vdss) 600V
标准包装 500
供应商设备封装 TO-220-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 600 mOhm @ 2.4A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 63W
封装/外壳 TO-220-3
输入电容(Ciss ) @ VDS 440pF @ 100V
闸电荷(Qg ) @ VGS 20.5nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
安装风格 Through Hole
晶体管极性 N-Channel
最低工作温度 - 55 C
源极击穿电压 20 V
连续漏极电流 7.3 A
系列 IPP60R600
RDS(ON) 540 mOhms
功率耗散 63 W
商品名 CoolMOS
零件号别名 IPP60R600E6XKSA1 SP000797630
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 650 V
RoHS RoHS Compliant

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