Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 封装 | Tube |
| 系列 | IPP120P04 |
| 零件号别名 | IPP120P04P404AKSA1 SP000842278 |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 安装类型 | 通孔 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 10.36mm |
| 典型输入电容值@Vds | 11380 pF @ -25 V |
| 系列 | OptiMOS P |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 15.95mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 3.5 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 通道类型 | P |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 136 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 4.57mm |
| 尺寸 | 10.36 x 4.57 x 15.95mm |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 典型接通延迟时间 | 30 ns |
| 典型关断延迟时间 | 49 ns |
| 封装类型 | TO-220 |
| 最大连续漏极电流 | 120 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 158 nC @ 10 V |
| 工厂包装数量 | 500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 40 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 商品名 | OptiMOS |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| Id - Continuous Drain Current | - 120 A |
| 身高 | 15.65 mm |
| 安装风格 | Through Hole |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 长度 | 10 mm |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.5 mOhms |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 技术 | Si |
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