infineon technologies
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| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 75 V |
| 最大连续漏极电流 | 100 A |
| RDS -于 | 3.4@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 16 ns |
| 典型上升时间 | 85 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 典型下降时间 | 10 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| P（ TOT ） | 214W |
| 匹配代码 | IPP034NE7N3 G |
| R（ THJC ） | 0.7K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 50 |
| 标准的提前期 | 13 weeks |
| 最小起订量 | 500 |
| Q（克） | 88nC |
| LLRDS （上） | n.s.Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | n.s.V |
| 我（D ） | 100A |
| V（ DS ） | 75V |
| 技术 | OptiMOS |
| 的RDS（on ） at10V | 0.0034Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 100A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.8V @ 155µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 75V |
| 供应商设备封装 | TO-220-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3.4 mOhm @ 100A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 214W |
| 标准包装 | 500 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 8130pF @ 37.5V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 117nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 100 A |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 零件号别名 | IPP034NE7N3GXKSA1 SP000641724 |
| 下降时间 | 10 ns |
| 安装风格 | Through Hole |
| 商品名 | OptiMOS |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 正向跨导 - 闵 | 150 S, 75 S |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 系列 | IPP034NE7 |
| RDS（ON） | 3.4 mOhms |
| 功率耗散 | 214 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 85 ns |
| 漏源击穿电压 | 75 V |
| 栅极电荷Qg | 88 nC |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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