Infineon Technologies AG
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 典型关闭延迟时间 | 72 ns |
| 源极击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 1.9 A |
| 系列 | XPD80R2 |
| RDS（ON） | 2.4 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 42 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TO-252-3 |
| 栅极电荷Qg | 12 nC |
| 零件号别名 | SP001100602 |
| 上升时间 | 15 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 800 V |
| 下降时间 | 18 ns |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | * |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.9V @ 120µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 800V |
| 标准包装 | 2,500 |
| 供应商设备封装 | * |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.8 Ohm @ 1.1A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 42W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 290pF @ 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.9A (Tc) |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 12nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | IPD80R2K8CEBTMA1CT |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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