infineon technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-252 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 最大连续漏极电流 | 7.3 A |
| RDS -于 | 600@10V mOhm |
| 最大门源电压 | 20 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型上升时间 | 8 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 64 ns |
| 典型下降时间 | 11 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| P（ TOT ） | 63W |
| 匹配代码 | IPD65R600E6 |
| R（ THJC ） | 2.0K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 2500 |
| 标准的提前期 | 14 weeks |
| 最小起订量 | 1 |
| Q（克） | 20.5nC |
| LLRDS （上） | n.s.Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | n.s.V |
| 我（D ） | 7.3A |
| V（ DS ） | 650V |
| 技术 | CoolMOS C6 |
| 的RDS（on ） at10V | 0.60Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 7.3A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.5V @ 210µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 650V |
| 供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 600 mOhm @ 2.1A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 63W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 440pF @ 100V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 23nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | IPD65R600E6CT |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 7.3 A |
| 系列 | IPD65R600 |
| RDS（ON） | 540 mOhms |
| 功率耗散 | 63 W |
| 商品名 | CoolMOS |
| 封装/外壳 | TO-252 |
| 零件号别名 | IPD65R600E6BTMA1 SP000800216 |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 700 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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