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厂商型号:

IPB072N15N3 G

芯天下内部编号:
173-IPB072N15N3-G
生产厂商:

infineon technologies

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-263
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 150 V
最大连续漏极电流 100 A
RDS -于 7.2@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 25 ns
典型上升时间 35 ns
典型关闭延迟时间 46 ns
典型下降时间 14 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
产品种类 MOSFET
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 150 V
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 100 A
抗漏源极RDS ( ON) 0.0072 Ohms
配置 Single
最高工作温度 + 175 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 TO-263
封装 Reel
下降时间 14 ns
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 300 W
上升时间 35 ns
工厂包装数量 1000
零件号别名 IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GXT SP000386664
P( TOT ) 300W
匹配代码 IPB072N15N3 G
R( THJC ) 0.5K/W
LogicLevel NO
单位包 1000
标准的提前期 14 weeks
最小起订量 1000
Q(克) 93nC
无铅Defin RoHS-conform
汽车 NO
我(D ) 100A
V( DS ) 150V
技术 OptiMOS
的RDS(on ) at10V 0.0072Ohm
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 100A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 270µA
漏极至源极电压(Vdss) 150V
供应商设备封装 PG-TO263-2
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 7.2 mOhm @ 100A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 300W
输入电容(Ciss ) @ VDS 5470pF @ 75V
闸电荷(Qg ) @ VGS 93nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 IPB072N15N3 GCT
类别 Power MOSFET
渠道类型 N
外形尺寸 10.31 x 9.45 x 4.57mm
身高 4.57mm
长度 10.31mm
最大漏源电阻 7.7 mΩ
最大功率耗散 300 W
每个芯片的元件数 1
包装类型 PG-TO-263-3
引脚数 3
典型栅极电荷@ VGS 70 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 5470 pF V @ 75
宽度 9.45mm
Continuous Drain Current Id :100A
Drain Source Voltage Vds :150V
On Resistance Rds(on) :5.8mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :3V
功耗 :300W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :175°C
Transistor Case Style :TO-263
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
Current Id Max :100A
工作温度范围 :-55°C to +175°C
晶体管类型 :Power MOSFET
Voltage Vgs Max :20V
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85412900

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