infineon technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 550 V |
| 最大连续漏极电流 | 10.6 A |
| RDS -于 | 380@10V mOhm |
| 最大门源电压 | 20 V |
| 典型导通延迟时间 | 11 ns |
| 典型上升时间 | 9 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 56 ns |
| 典型下降时间 | 8 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| FET特点 | Super Junction |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9.9A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.5V @ 260µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 标准包装 | 500 |
| 供应商设备封装 | PG-TO-220-FP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 380 mOhm @ 3.2A, 13V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 29W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 584pF @ 100V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 24.8nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 高度 | 16.15mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 10.65mm |
| 典型输入电容值@Vds | 584 pF @ 100 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 380 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 最大功率耗散 | 29.2 W |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 宽度 | 4.9mm |
| 尺寸 | 10.65 x 4.9 x 16.15mm |
| 正向二极管电压 | 0.85V |
| 最大漏源电压 | 550 V |
| 典型接通延迟时间 | 7.2 ns |
| 典型关断延迟时间 | 35 ns |
| 封装类型 | TO-220 |
| 最大连续漏极电流 | 9.9 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 24.8 nC @ 10 V |
| 工厂包装数量 | 500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| 宽度 | 4.85 mm |
| Qg - Gate Charge | 24.8 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 下降时间 | 8.36 ns |
| 安装风格 | Through Hole |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | CoolMOS |
| 配置 | 1 N-Channel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 14.1 A |
| 长度 | 10.65 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 340 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 系列 | CoolMOS CE |
| 身高 | 16.15 mm |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| Pd - Power Dissipation | 29.2 W |
| 上升时间 | 5.6 ns |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
