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厂商型号:

IKP10N60T

芯天下内部编号:
173-IKP10N60T
生产厂商:

infineon technologies

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-220AB
配置 Single
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 20 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
P( TOT ) 110W
匹配代码 IKP10N60T
I(C ) 10A
TD (上) 12nS
单位包 50
标准的提前期 20 weeks
最小起订量 500
T( R) 8nS
无铅Defin RoHS-conform
TD (关闭) 215nS
技术 TrenchStop
汽车 NO
V( CE ) 600V
V( CESAT ) 2.05V
Bodydiode YES
栅极电荷 62nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 20A
安装类型 Through Hole
开关能量 430µJ
时间Td(开/关) @ 25°C 12ns/215ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.05V @ 15V, 10A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 PG-TO220-3
反向恢复时间(trr ) 115ns
封装 Tube
功率 - 最大 110W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-220-3
IGBT类型 NPT, Trench and Field Stop
测试条件 400V, 10A, 23 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 30A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
渠道类型 N
外形尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm
身高 15.95mm
长度 10.36mm
最高工作温度 +175 °C
最大功率耗散 110 W
最低工作温度 -40 °C
包装类型 PG-TO-220-3-1
引脚数 3
宽度 4.57mm
产品种类 IGBT Transistors
连续集电极电流Ic最大 20 A
系列 IKP10N60
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
安装风格 Through Hole
零件号别名 IKP10N60TXKSA1 SP000683062
RoHS RoHS Compliant
晶体管类型 :IGBT
DC Collector Current :20A
Collector Emitter Voltage Vces :2.05V
功耗 :110W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :600V
Operating Temperature Min :-40°C
Operating Temperature Max :175°C
Transistor Case Style :TO-220
No. of Pins :3
MSL :-
Current Ic Continuous a Max :10A
No. of Transistors :1
工作温度范围 :-40°C to +175°C
Power Dissipation Max :110W
端接类型 :Through Hole
晶体管极性 :N Channel
Voltage Vces :600V
Weight (kg) 0.0018
Tariff No. 85412900
案例 TO220
Transistor type IGBT
功率 110W
Collector-emitter voltage 600V
Multiplicity 500
Collector current 10A
Gross weight 3.81 g
Collective package [pcs] 6
spg 6

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