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厂商型号:

IGW75N60T

芯天下内部编号:
173-IGW75N60T
生产厂商:

infineon technologies

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-247
配置 Single
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 150 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
产品种类 IGBT Transistors
RoHS RoHS Compliant
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
最高工作温度 + 150 C
封装/外壳 TO-247-3
封装 Tube
连续集电极电流Ic最大 150 A
最低工作温度 - 40 C
安装风格 Through Hole
零件号别名 IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TXK SP000054927
P( TOT ) 428W
匹配代码 IGW75N60T
I(C ) 150A
TD (上) 33nS
单位包 240
标准的提前期 21 weeks
最小起订量 240
T( R) 36nS
无铅Defin RoHS-conform
TD (关闭) 330nS
技术 2-20kHz
汽车 NO
V( CE ) 600V
V( CESAT ) 1.5V
Bodydiode NO
栅极电荷 470nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 150A
安装类型 Through Hole
开关能量 4.5mJ
时间Td(开/关) @ 25°C 33ns/330ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2V @ 15V, 75A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 PG-TO247-3
功率 - 最大 428W
输入类型 Standard
IGBT类型 Trench and Field Stop
测试条件 400V, 75A, 5 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 225A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
外形尺寸 16.13 x 21.1 x 5.21mm
身高 5.21mm
长度 16.13mm
最大功率耗散 428 W
包装类型 PG-TO-247-3
引脚数 3
宽度 21.1mm
系列 IGW75N60
DC Collector Current :75A
Collector Emitter Voltage Vces :2V
功耗 :428W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :600V
Operating Temperature Min :-40°C
Operating Temperature Max :175°C
Transistor Case Style :TO-247
No. of Pins :3
MSL :-
工作温度范围 :-40°C to +175°C
Power Dissipation Max :428W
晶体管类型 :IGBT
Weight (kg) 0.00542
Tariff No. 85412900

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