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Thumbnail IGP15N60T Thumbnail IGP15N60T
厂商型号:

IGP15N60T

芯天下内部编号:
173-IGP15N60T
生产厂商:

infineon technologies

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-220AB
配置 Single
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 30 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Through Hole
P( TOT ) 130W
匹配代码 IGP15N60T
I(C ) 30A
TD (上) 17nS
单位包 500
标准的提前期 21 weeks
最小起订量 500
T( R) 11nS
无铅Defin RoHS-conform
TD (关闭) 188nS
技术 2-20kHz
汽车 NO
V( CE ) 600V
V( CESAT ) 1.5V
Bodydiode NO
栅极电荷 87nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 30A
安装类型 Through Hole
开关能量 570µJ
标准包装 500
时间Td(开/关) @ 25°C 17ns/188ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.05V @ 15V, 15A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 PG-TO220-3
封装 Tube
功率 - 最大 130W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-220-3
IGBT类型 Trench and Field Stop
测试条件 400V, 15A, 15 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 45A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
产品种类 IGBT Transistors
连续集电极电流Ic最大 30 A
系列 IGP15N60
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
安装风格 Through Hole
最低工作温度 - 40 C
零件号别名 IGP15N60TXKSA1 SP000683044
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant

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