Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 栅极 - 射极漏泄电流 | 400 nA |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.95 V |
| 连续集电极电流在25 C | 150 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 安装风格 | Screw |
| 功率耗散 | 430 W |
| 最大栅极发射极电压 | +/- 20 V |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| Pd - Power Dissipation | 430 W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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