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所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8PRIME2 |
| 配置 | Dual |
| 引脚数 | 8 |
| 最大集电极发射极电压 | 1700 V |
| 最大连续集电极电流 | 930 A |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 V |
| 安装 | Screw |
| 栅极 - 射极漏泄电流 | 400 nA |
| 连续集电极电流在25 C | 930 A |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 1700 V |
| 安装风格 | Screw |
| 功率耗散 | 4.15 kW |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 封装/外壳 | PRIME2 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 2.45 V |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| DC Collector Current | :650A |
| Collector Emitter Voltage Vces | :2V |
| 功耗 | :4.15kW |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :1.7kV |
| Operating Temperature Min | :-40°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :Module |
| No. of Pins | :10 |
| Module Configuration | :Dual |
| 工作温度范围 | :-40°C to +150°C |
| Power Dissipation Max | :4.15kW |
| Weight (kg) | 0.825 |
| Tariff No. | 85413000 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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