Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 14.5A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 标准包装 | 500 |
| 供应商设备封装 | PG-TO220-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 200 mOhm @ 9A, 5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 95W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1120pF @ 25V |
| 类别 | Power MOSFET |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | N |
| 外形尺寸 | 10.36 x 4.57 x 9.45mm |
| 身高 | 9.45mm |
| 长度 | 10.36mm |
| 最大连续漏极电流 | 14.5 A |
| 最大漏源电阻 | 0.2 Ω |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 95 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | PG-TO-220-3 |
| 引脚数 | 3 |
| 典型输入电容@ VDS | 840 pF V @ 25 |
| 典型关闭延迟时间 | 150 ns |
| 典型导通延迟时间 | 12 ns |
| 宽度 | 4.57mm |
| RoHS指令 | Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 14.5 A |
| 系列 | BUZ31 |
| RDS（ON） | 200 mOhms |
| 功率耗散 | 95 W |
| 商品名 | OptiMOS |
| 正向跨导 - 闵 | 12 S |
| 零件号别名 | BUZ31HXKSA1 SP000682992 |
| 上升时间 | 50 nS |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 60 nS |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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