所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220AB SMD |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大连续漏极电流 | 22 A |
| RDS -于 | 100@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±10 V |
| 典型导通延迟时间 | 25 ns |
| 典型上升时间 | 110 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 210 ns |
| 典型下降时间 | 100 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| RoHS | No |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 连续漏极电流 | 22 A |
| 抗漏源极RDS ( ON) | 100 mOhms at 4.5 V |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220AB SMD |
| 封装 | Reel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 95000 mW |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 零件号别名 | BTS121AE3045ANT BTS121AE3045ANTMA1 SP000011201 |
| 寿命 | NRND: Not recommended for new designs. |
| P( TOT ) | 75W |
| 匹配代码 | BTS121A E3045A |
| 单位包 | 1000 |
| 标准的提前期 | 18 weeks |
| 最小起订量 | 1000 |
| 无铅Defin | Leaded |
| 汽车 | NO |
| 我(D ) | 22A |
| V( DS ) | 100V |
| 的RDS(on ) at10V | 0.1Ohm |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 22A (Tc) |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 100 mOhm @ 9.5A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 95W |
| 标准包装 | 1,000 |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 1500pF @ 25V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BTS121A E3045ACT |
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