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Thumbnail BTS121A E3045A Thumbnail BTS121A E3045A
厂商型号:

BTS121A E3045A

芯天下内部编号:
173-BTS121A-E3045A
生产厂商:

infineon technologies

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-220AB SMD
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 100 V
最大连续漏极电流 22 A
RDS -于 100@4.5V mOhm
最大门源电压 ±10 V
典型导通延迟时间 25 ns
典型上升时间 110 ns
典型关闭延迟时间 210 ns
典型下降时间 100 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
RoHS No
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流 22 A
抗漏源极RDS ( ON) 100 mOhms at 4.5 V
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
安装风格 Through Hole
封装/外壳 TO-220AB SMD
封装 Reel
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 95000 mW
工厂包装数量 1000
零件号别名 BTS121AE3045ANT BTS121AE3045ANTMA1 SP000011201
寿命 NRND: Not recommended for new designs.
P( TOT ) 75W
匹配代码 BTS121A E3045A
单位包 1000
标准的提前期 18 weeks
最小起订量 1000
无铅Defin Leaded
汽车 NO
我(D ) 22A
V( DS ) 100V
的RDS(on ) at10V 0.1Ohm
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 22A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.5V @ 1mA
漏极至源极电压(Vdss) 100V
供应商设备封装 TO-220AB
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 100 mOhm @ 9.5A, 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 95W
标准包装 1,000
输入电容(Ciss ) @ VDS 1500pF @ 25V
封装/外壳 TO-220-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 BTS121A E3045ACT

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