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厂商型号

BSS131H6327XTSA1 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R

内部编号

173-BSS131H6327XTSA1

生产厂商

infineon technologies

infineon

#1

数量:11000
3000+¥0.48
最小起订量:3000
英国伦敦
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#2

数量:11299
1+¥2.3932
10+¥1.5658
100+¥0.6701
1000+¥0.5128
2500+¥0.3897
9000+¥0.3487
18000+¥0.3214
45000+¥0.2872
99000+¥0.2803
最小起订量:1
美国加州
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#3

数量:1678
1+¥3.0
10+¥1.98
100+¥0.844
1000+¥0.647
3000+¥0.491
9000+¥0.436
最小起订量:1
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BSS131H6327XTSA1产品详细规格

规格书 BSS131H6327XTSA1 datasheet 规格书
包装 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 240 V
最大连续漏极电流 0.11 A
RDS -于 14000@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 3.3 ns
典型上升时间 3.1 ns
典型关闭延迟时间 13.7 ns
典型下降时间 64.5 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 14@10V
最大漏源电压 240
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SOT-23
最大功率耗散 360
最大连续漏极电流 0.11
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
连续漏极电流 0.11 A
栅源电压(最大值) �20 V
功率耗散 0.36 W
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-23
极性 N
类型 Small Signal
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 240 V
弧度硬化 No
工厂包装数量 9000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 240 V
晶体管极性 N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 800 mV
宽度 1.3 mm
Qg - Gate Charge 3.1 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
下降时间 64.5 ns
安装风格 SMD/SMT
品牌 Infineon Technologies
通道数 1 Channel
配置 1 N-Channel
最高工作温度 + 150 C
晶体管类型 1 N-Channel
正向跨导 - 闵 60 mS
Id - Continuous Drain Current 110 mA
长度 2.9 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 7.7 Ohms
RoHS RoHS Compliant
身高 1.1 mm
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 360 mW
上升时间 3.1 ns
技术 Si

BSS131H6327XTSA1系列产品

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