Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 高度 | 1mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 小信号 |
| 长度 | 2.9mm |
| 典型输入电容值@Vds | 58 pF @ 25 V |
| 系列 | SIPMOS |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 20 Ω |
| 最大栅阈值电压 | 1.8V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 0.36 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 1.3mm |
| 尺寸 | 2.9 x 1.3 x 1mm |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V |
| 最大漏源电压 | 240 V |
| 典型接通延迟时间 | 3.3 ns |
| 典型关断延迟时间 | 13.7 ns |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 最大连续漏极电流 | 110 mA |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.1 nC @ 10 V |
| 工厂包装数量 | 9000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 240 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
| 宽度 | 1.3 mm |
| Qg - Gate Charge | 3.1 nC |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 |
| 下降时间 | 64.5 ns |
| 封装 | Reel |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | 1 N-Channel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 60 mS |
| Id - Continuous Drain Current | 110 mA |
| 长度 | 2.9 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7.7 Ohms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 13.7 ns |
| 通道模式 | Enhancement |
| 系列 | BSS131 |
| 身高 | 1.1 mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 典型导通延迟时间 | 3.3 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 360 mW |
| 上升时间 | 3.1 ns |
| 技术 | Si |
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