Infineon Technologies AG
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | SOIC |
| Package Height | 1.47 |
| 安装 | Surface Mount |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 渠道类型 | N|P |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 110@10V@N Channel|300@10V@P Channel |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| Package Width | 3.94 |
| 供应商封装形式 | DSO |
| Package Length | 4.9 |
| PCB | 8 |
| 最大连续漏极电流 | 3.1@N Channel|2@P Channel |
| 引脚数 | 8 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3.1A, 2A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 20µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 供应商设备封装 | PG-DSO-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 110 mOhm @ 3.1A, 10V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 380pF @ 25V |
| 其他名称 | BSO615CXTINTR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 22.5nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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