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所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8DSO |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 8.2 A |
| RDS -于 | 21@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 10.6 ns |
| 典型上升时间 | 12.9 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 55.4 ns |
| 典型下降时间 | 39.3 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8.2A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 100µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | P-DSO-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 21 mOhm @ 8.2A, 10V |
| FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1761pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 72.5nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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