Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 7A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 100µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | PG-DSO-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 21 mOhm @ 8.2A, 10V |
| FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2678pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 49nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 其他名称 | BSO303P HCT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 连续漏极电流 | - 8.2 A |
| 封装/外壳 | PG-DSO-8 |
| 零件号别名 | BSO303PHXUMA1 SP000613854 |
| 下降时间 | 39 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 27 S |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | BSO303 |
| RDS（ON） | 21 mOhms |
| 功率耗散 | 2 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 13 ns |
| 漏源击穿电压 | - 30 V |
| 栅极电荷Qg | - 36 nC |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 7A |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 宽度 | 3.9 mm |
| Qg - Gate Charge | - 36 nC |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 2 Channel |
| 商品名 | OptiMOS |
| 晶体管类型 | 2 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | - 8.2 A |
| 长度 | 4.9 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 21 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 1.75 mm |
| 典型导通延迟时间 | 11 ns |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
