infineon technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 734MM |
| 配置 | Dual |
| 引脚数 | 7 |
| 最大集电极发射极电压 | 1200 V |
| 最大连续集电极电流 | 105 A |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 V |
| 安装 | Screw |
| 渠道类型 | N |
| 外形尺寸 | 94 x 34 x 30.5mm |
| 身高 | 30.5mm |
| 长度 | 94mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 625 W |
| 安装类型 | Screw Mount |
| 包装类型 | 34MM |
| 宽度 | 34mm |
| RoHS指令 | Compliant |
| 栅极 - 射极漏泄电流 | 320 nA |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 产品种类 | IGBT Modules |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 连续集电极电流在25 C | 105 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 安装风格 | Screw |
| 功率耗散 | 625 W |
| 封装/外壳 | Half Bridge1 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 2.5 V |
| RoHS | No |
| Collector-emitter saturation voltage | 3.0 |
| Collector-emitter voltage | 1200 |
| Collector current | 105 A@ Tc=25 °C |
| 连接方式 | 3 x M5 |
| Housing type | 34 mm |
| 拧紧固定螺丝 | 2 x M6 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| Pd - Power Dissipation | 625 W |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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