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厂商型号

BSM200GA120DLCS 

产品描述

Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 370A 4-Pin 62MM

内部编号

173-BSM200GA120DLCS

生产厂商

infineon technologies

infineon

#1

数量:4
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BSM200GA120DLCS产品详细规格

规格书 BSM200GA120DLCS datasheet 规格书
BSM200GA120DLCS datasheet 规格书
包装 462MM
配置 Single Dual Emitter
引脚数 4
最大集电极发射极电压 1200 V
最大连续集电极电流 370 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Screw
栅极 - 射极漏泄电流 400 nA
产品 IGBT Silicon Modules
产品种类 IGBT Modules
工厂包装数量 500
连续集电极电流在25 C 370 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 1200 V
安装风格 Screw
功率耗散 1450 W
最低工作温度 - 40 C
封装/外壳 62 mm
集电极 - 发射极饱和电压 2.1 V
最高工作温度 + 125 C
RoHS No
品牌 Infineon Technologies
Pd - Power Dissipation 1450 W
身高 36.5 mm
长度 106.4 mm

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