infineon technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 462MM |
| 配置 | Single Dual Emitter |
| 引脚数 | 4 |
| 最大集电极发射极电压 | 1200 V |
| 最大连续集电极电流 | 370 A |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 V |
| 安装 | Screw |
| 栅极 - 射极漏泄电流 | 400 nA |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 产品种类 | IGBT Modules |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 连续集电极电流在25 C | 370 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 安装风格 | Screw |
| 功率耗散 | 1450 W |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 封装/外壳 | 62 mm |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 2.1 V |
| 最高工作温度 | + 125 C |
| RoHS | No |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| Pd - Power Dissipation | 1450 W |
| 身高 | 36.5 mm |
| 长度 | 106.4 mm |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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