Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.2V @ 1.6µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | PG-SOT363-6 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 350 mOhm @ 950mA, 4.5V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 封装/外壳 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 63pF @ 10V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 950mA |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 0.32nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BSD235N H6327DKR |
| 工厂包装数量 | 9000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V, 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V, 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 700 mV, 700 mV |
| 宽度 | 1.25 mm |
| Qg - Gate Charge | 320 pC, 320 pC |
| 下降时间 | 1.2 ns, 1.2 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 2 Channel |
| 配置 | 2 N-Channel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 2 S, 2 S |
| Id - Continuous Drain Current | 950 mA, 950 mA |
| 长度 | 2 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 266 mOhms, 266 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 4.5 ns, 4.5 ns |
| 通道模式 | Enhancement |
| 系列 | BSD235 |
| 身高 | 0.9 mm |
| 典型导通延迟时间 | 3.8 ns, 3.8 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| 上升时间 | 3.6 ns, 3.6 ns |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
