Infineon Technologies AG
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 封装 | Reel |
| 系列 | BSD223 |
| 零件号别名 | SP000924074 |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 高度 | 0.8mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 小信号 |
| 长度 | 2mm |
| 典型输入电容值@Vds | 45 pF @ -15 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最大漏源电阻值 | 1.2 Ω |
| 通道类型 | P |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 0.25 W |
| 最大栅源电压 | ±12 V |
| 宽度 | 1.25mm |
| 尺寸 | 2 x 1.25 x 0.8mm |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 典型接通延迟时间 | 3.8 ns |
| 典型关断延迟时间 | 5.1 ns |
| 封装类型 | SOT-363 |
| 最大连续漏极电流 | 390 mA |
| 引脚数目 | 6 |
| 晶体管配置 | 隔离式 |
| 典型栅极电荷@Vgs | -0.5 nC @ -4.5 V |
| 工厂包装数量 | 12000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 20 V, - 20 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-363-6 |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 1.2 V, - 1.2 V |
| 宽度 | 1.25 mm |
| Qg - Gate Charge | - 620 pC, - 620 pC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 12 V, +/- 12 V |
| 下降时间 | 3.2 ns, 3.2 ns |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 2 Channel |
| 配置 | 2 P-Channel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 2 P-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 350 mS, 350 mS |
| Id - Continuous Drain Current | - 390 mA, - 390 mA |
| 长度 | 2 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 700 mOhms, 700 mOhms |
| 典型关闭延迟时间 | 5.1 ns, 5.1 ns |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 0.9 mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 典型导通延迟时间 | 3.8 ns, 3.8 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 250 mW |
| 上升时间 | 5 ns, 5 ns |
| 技术 | Si |
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