Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 44A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | PG-TDSON-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 9.1 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 28W |
| 标准包装 | 5,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1500pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 20nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 其他名称 | BSC889N03MS GCT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 12 A |
| 系列 | BSC889N03 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 9.1 mOhms |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TDSON-8 |
| 典型关闭延迟时间 | 7.2 ns |
| 零件号别名 | BSC889N03MSGATMA1 SP000507410 |
| 上升时间 | 4.2 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 5 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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