Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| P（ TOT ） | 50W |
| 匹配代码 | BSC059N04LS G |
| 安装 | SMD |
| R（ THJC ） | 2.5K/W |
| LogicLevel | YES |
| 包装 | TDSON-8 |
| 单位包 | 5000 |
| 标准的提前期 | 22 weeks |
| 最小起订量 | 5000 |
| Q（克） | 40nC |
| LLRDS （上） | 0.0085Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | 4.5V |
| 我（D ） | 73A |
| V（ DS ） | 40V |
| 技术 | OptiMOS |
| 的RDS（on ） at10V | 0.0059Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 73A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 23µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 供应商设备封装 | PG-TDSON-8 (5.15x6.15) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5.9 mOhm @ 50A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 50W |
| 标准包装 | 5,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3200pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 40nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BSC059N04LS GCT |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :73A |
| Drain Source Voltage Vds | :40V |
| On Resistance Rds(on) | :4.9mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.2V |
| 功耗 | :50W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :PG-TSDSON |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| Current Id Max | :73A |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 晶体管类型 | :Power MOSFET |
| Voltage Vgs Max | :20V |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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