图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BSC018N04LS G |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 5,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 100A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 1.8 mOhm @ 50A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 85µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 150nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 12000pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 125W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8 (5.15x6.15) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 100A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 85µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 供应商设备封装 | PG-TDSON-8 (5.15x6.15) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.8 mOhm @ 50A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 125W |
| 标准包装 | 5,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 12000pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 150nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 其他名称 | BSC018N04LS GCT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 30 A |
| 封装/外壳 | TDSON |
| 零件号别名 | BSC018N04LSGATMA1 SP000388293 |
| 下降时间 | 9 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商品名 | OptiMOS |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | BSC018N04 |
| RDS（ON） | 1.8 mOhms |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 7.4 ns |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
| 宽度 | 5.15 mm |
| Qg - Gate Charge | 150 nC |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 90 S |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| 长度 | 5.9 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.5 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 1.27 mm |
| 典型导通延迟时间 | 13 ns |
| Pd - Power Dissipation | 125 W |
| 技术 | Si |
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