Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 90mA |
| 噪声系数（dB典型值@频率） | 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 37GHz |
| 标准包装 | 15,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 4.7V |
| 供应商设备封装 | PG-TSLP-3 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 360mW |
| 增益 | 21dB |
| 封装/外壳 | SC-101, SOT-883 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 160 @ 60mA, 3V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BFR750L3RHE6327INDKR |
| 工厂包装数量 | 15000 |
| 产品种类 | Transistors RF Bipolar |
| 系列 | BFR750L3 |
| 零件号别名 | BFR750L3RHE6327XTSA1 SP000252588 |
| 类型 | RF Silicon Germanium |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 技术 | SiGe |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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