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Thumbnail BFP405E6327 Thumbnail BFP405E6327 Thumbnail BFP405E6327
厂商型号:

BFP405E6327

芯天下内部编号:
173-BFP405E6327
生产厂商:

Infineon Technologies

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
电流 - 集电极( Ic)(最大) 25mA
噪声系数(dB典型值@频率) 1.25dB @ 1.8GHz
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 25GHz
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 5V
供应商设备封装 PG-SOT343-4
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 75mW
增益 23dB
封装/外壳 SC-82A, SOT-343
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 60 @ 5mA, 4V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 BFP405INDKR
类别 Bipolar RF
配置 Single Dual Emitter
外形尺寸 0.9 x 2 x 1.25mm
身高 0.9mm
长度 2mm
最大集电极基极电压 15 V
最大集电极发射极电压 4.5 V
集电极最大直流电流 0.025 A
最大基地发射极电压 1.5 V
最大工作频率 25000 MHz
最高工作温度 +150°C
最大功率耗散 75 mW
最小直流电流增益 60 V
最低工作温度 -65°C
每个芯片的元件数 1
包装类型 SOT-343
引脚数 4
宽度 1.25mm
案例 SOT343R
Transistor type NPN
极化 bipolar
Multiplicity 1
Collector-emitter voltage 4.5V
Gross weight 0.04 g
频率 25GHz
安装 SMD
Collector current 12mA
Collective package [pcs] 150
spg 150
频率 - 跃迁 25GHz
晶体管类型 NPN
增益 23dB
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 60 @ 5mA, 4V
封装/外壳 SC-82A, SOT-343
功率 - 最大值 75mW
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.25dB @ 1.8GHz
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 25mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 5V
最高工作频率 25000 MHz
最大直流集电极电流 0.025 A
长度 2mm
最高工作温度 +150 °C
安装类型 表面贴装
最低工作温度 -65 °C
高度 0.9mm
最大功率耗散 0.075 W
宽度 1.25mm
封装类型 SOT-343
最大集电极-发射极电压 4.5 V
引脚数目 4
最小直流电流增益 60
尺寸 0.9 x 2 x 1.25mm
最大发射极-基极电压 1.5 V
每片芯片元件数目 1
最大集电极-基极电压 15 V

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