Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 80mA |
| 噪声系数（dB典型值@频率） | 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 65GHz |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 2.8V |
| 供应商设备封装 | 4-TSFP |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 185mW |
| 增益 | 21dB |
| 封装/外壳 | 4-SMD, Flat Leads |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 110 @ 50mA, 1.5V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | Transistors RF Bipolar |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 1.2 V |
| 类型 | RF Silicon Germanium |
| 最大工作频率 | 65000 MHz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 185 mW |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 2.3 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 零件号别名 | BFP620FE7764XT |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 0.08 A |
| 集电极电流（DC ） | 0.08 A |
| 集电极 - 基极电压 | 7.5 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 2.3 V |
| 发射极 - 基极电压 | 1.2 V |
| 频率 | 65000 MHz |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | TSFP |
| 引脚数 | 4 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 110 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 频率 - 跃迁 | 65GHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 增益 | 21dB |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 110 @ 50mA, 1.5V |
| 封装/外壳 | 4-SMD, Flat Leads |
| 功率 - 最大值 | 185mW |
| 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） | 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 80mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 2.8V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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