Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 电压 - 额定 | 8V |
| 噪声系数 | 1.6dB |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | PG-SOT143-4 |
| 电压 - 测试 | 5V |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 频率 | 800MHz |
| 增益 | 23dB |
| 封装/外壳 | TO-253-4, TO-253AA |
| 电流 - 测试 | 15mA |
| 额定电流 | 40mA |
| 系列 | * |
| 其他名称 | BF 2040 E6814CT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 0.04 A |
| 零件号别名 | BF2040E6814HTSA1 SP000012215 |
| 类型 | N Channel MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 配置 | Single Dual Gate |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 37 mS |
| 输出功率 | 200 mW |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 产品类型 | RF MOSFET Small Signal |
| 源极击穿电压 | 7 V |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 漏源击穿电压 | 8 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 8 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 7 V |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| Id - Continuous Drain Current | 40 mA |
| 长度 | 2.9 mm |
| 通道模式 | Depletion |
| 身高 | 1 mm |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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