Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 产品种类 | Transistors Switching - Resistor Biased |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 封装 | Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 零件号别名 | BCR112WH6327XT BCR112WH6327XTSA1 SP000750790 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | NPN - Pre-Biased |
| 频率 - 转换 | 140MHz |
| 电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆） | 4.7k |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | PG-SOT323-3 |
| 电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆） | 4.7k |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 封装/外壳 | SC-70, SOT-323 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 20 @ 5mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 系列 | BCR112 |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA (ICBO) |
| 长度 | 2mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管类型 | NPN |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 高度 | 0.8mm |
| 最大功率耗散 | 250 mW |
| 宽度 | 1.25mm |
| 封装类型 | SOT-323 |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.3 V |
| 引脚数目 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 20 |
| 尺寸 | 2 x 1.25 x 0.8mm |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kΩ |
| 最大发射极-基极电压 | 10 V |
| 典型电阻比 | 1 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续集电极电流 | 100 mA |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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