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SGD02N60现货价格
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产品分类
分立半导体
IGBT
分立半导体产品
SGD02N60
图片仅供参考,产品以实物为准
厂商型号
SGD02N60
产品描述
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-252
内部编号
173-SGD02N60
生产厂商
infineon technologies
库存信息
产品规格
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#1
数量:2500
1+
¥4.3148
25+
¥4.0066
100+
¥3.8525
500+
¥3.6984
1000+
¥3.5443
最小起订金额:¥₩600
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支付方式
全面支持货到付款
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SGD02N60产品详细规格
规格书
Rohs
Lead free / RoHS Compliant
标准包装
2,500
IGBT 型
NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 2A
- 集电极电流(Ic)(最大)
6A
功率 - 最大
30W
Input 型
Standard
安装类型
Surface Mount
包/盒
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装
PG-TO252-3
包装材料
Tape & Reel (TR)
包装
3TO-252
配置
Single
最大集电极发射极电压
600 V
最大连续集电极电流
6 A
最大栅极发射极电压
±20 V
安装
Surface Mount
标准包装
Tape & Reel
产品种类
IGBT Transistors
RoHS
RoHS Compliant
集电极 - 发射极最大电压VCEO
600 V
最高工作温度
+ 150 C
封装/外壳
TO-252-3
封装
Reel
连续集电极电流Ic最大
6 A
最低工作温度
- 55 C
安装风格
SMD/SMT
零件号别名
SGD02N60BUMA1 SGD02N60XT SP000011993
P( TOT )
30W
匹配代码
SGD02N60
I(C )
6A
TD (上)
24nS
单位包
2500
标准的提前期
20 weeks
最小起订量
2500
T( R)
16nS
无铅Defin
RoHS-conform
TD (关闭)
311nS
技术
Fast
汽车
NO
V( CE )
600V
V( CESAT )
2.4V
Bodydiode
YES
栅极电荷
14nC
电流 - 集电极( Ic)(最大)
6A
安装类型
Surface Mount
开关能量
64µJ
时间Td(开/关) @ 25°C
20ns/259ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时
2.4V @ 15V, 2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
600V
供应商设备封装
PG-TO252-3
功率 - 最大
30W
输入类型
Standard
IGBT类型
NPT
测试条件
400V, 2A, 118 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM )
12A
RoHS指令
Lead free / RoHS Compliant
系列
SGD02N60
SGD02N60系列产品
型号
厂家
产品描述
SGD02N60BUMA1
Infineon Technologies AG
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-252
SGD02N120
infineon technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 6.2A 3-Pin(2+Tab) TO-252
SGD02N120BUMA1
Infineon Technologies AG
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 6.2A 3-Pin(2+Tab) TO-252
SGD02N60也可以通过以下分类找到
产品分类
半导体与光电子
分立式半导体
晶体管
IGBT晶体管
产品分类
分立
IGBT芯片
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订购SGD02N60.产品描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-252. 生产商: infineon technologies.芯天下有低价
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