Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 工厂包装数量 | 35 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 10 V |
| 连续漏极电流 | 2.6 A |
| 系列 | PTFB193404 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 频率 | 1.93 GHz to 1.99 GHz |
| 输出功率 | 100 W |
| 增益 | 19 dB |
| 封装/外壳 | H-37275-6-2 |
| 零件号别名 | PTFB193404FV1XWSA1 SP000865988 |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 65 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 65 V |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| Id - Continuous Drain Current | 2.6 A |
| 类型 | RF Power MOSFET |
| 工作频率 | 1.93 GHz to 1.99 GHz |
| 技术 | Si |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
