Infineon Tech ICS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 系列 | IPW65R150 |
| 封装 | Tube |
| 商品名 | CoolMOS |
| 零件号别名 | SP000928274 |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 安装类型 | 通孔 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 16.03mm |
| 典型输入电容值@Vds | 2340 pF @ 100 V |
| 系列 | CoolMOS CFD |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 21.1mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 150 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 最大功率耗散 | 195.3 W |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 宽度 | 5.16mm |
| 尺寸 | 16.03 x 5.16 x 21.1mm |
| 最小栅阈值电压 | 3.5V |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 典型接通延迟时间 | 12.4 ns |
| 典型关断延迟时间 | 52.8 ns |
| 封装类型 | TO-247 |
| 最大连续漏极电流 | 22 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 86 nC @ 10 V |
| 工厂包装数量 | 240 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 150 mOhms |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| Id - Continuous Drain Current | 22.4 A |
| 身高 | 21.1 mm |
| 宽度 | 5.21 mm |
| 长度 | 16.13 mm |
| 通道数 | 1 Channel |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 技术 | Si |
咨询QQ
热线电话
