Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 安装风格 | Through Hole |
| 配置 | Single |
| 典型关闭延迟时间 | 72 ns |
| 源极击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 3.9 A |
| 系列 | XPU80R1 |
| RDS（ON） | 1.2 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 功率耗散 | 63 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TO-251-3 |
| 栅极电荷Qg | 23 nC |
| 零件号别名 | SP001100620 |
| 上升时间 | 15 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 800 V |
| 下降时间 | 12 ns |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | * |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.9V @ 240µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 800V |
| 标准包装 | 1,500 |
| 供应商设备封装 | * |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.4 Ohm @ 2.3A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 63W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 570pF @ 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3.9A (Tc) |
| 其他名称 | SP001100620 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 23nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 800V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 570pF @ 100V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 23nC @ 10V |
| FET 功能 | Standard |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 240µA |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3.9A (Tc) |
| 功率 - 最大值 | 63W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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