图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IPx65R110CFD |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 700V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 31.2A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 110 mOhm @ 12.7A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4.5V @ 1.3mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 118nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3240pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 277.8W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 31.2A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 1.3mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 700V |
| 标准包装 | 500 |
| 供应商设备封装 | TO-220-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 110 mOhm @ 12.7A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 277.8W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3240pF @ 100V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 118nC @ 10V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 31.2 A |
| 系列 | IPP65R110 |
| RDS（ON） | 110 mOhms |
| 功率耗散 | 277.8 W |
| 商品名 | CoolMOS |
| 栅极电荷Qg | 118 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 68 nS |
| 零件号别名 | IPP65R110CFDXKSA1 SP000895226 |
| 上升时间 | 11 nS |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 700 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 6 nS |
| 高度 | 4.57mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 10.36mm |
| 典型输入电容值@Vds | 3240 pF @ 100 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 110 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 277.8 W |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 宽度 | 15.95mm |
| 尺寸 | 10.36 x 15.95 x 4.57mm |
| 正向二极管电压 | 0.9V |
| 最大漏源电压 | 700 V |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns |
| 典型关断延迟时间 | 68 ns |
| 封装类型 | TO-220 |
| 最大连续漏极电流 | 31.2 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 118 nC @ 10 V |
| 工厂包装数量 | 500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 宽度 | 4.4 mm |
| Qg - Gate Charge | 118 nC |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 31.2 A |
| 长度 | 10 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 110 mOhms |
| 身高 | 15.65 mm |
| Pd - Power Dissipation | 277.8 W |
| 技术 | Si |
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